Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTA50N28T

IXTA50N28T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-263

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 340 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 280 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.066 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 87 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 180 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор IXTA50N28T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
APT30M61BFLLG	PTH	N	403	300	30	5	54	0.061	64	20	920	150	TO-247
APT30M61SFLLG	SMD	N	403	300	30	5	54	0.061	64	20	920	150	D3PAK
IXTP50N28T	PTH	N	340	280	-	-	50	0.066	87	180	-	-	TO-220
IXTQ50N28T	PTH	N	340	280	-	-	50	0.066	87	180	-	-	TO-3P