Транзистор IXTP50N28T
IXTP50N28T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 340 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 280 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 50 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.066 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 87 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 180 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор IXTP50N28T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APT30M61BFLLG |
PTH |
N |
403 |
300 |
30 |
5 |
54 |
0.061 |
64 |
20 |
920 |
150 |
TO-247 |
| APT30M61SFLLG |
SMD |
N |
403 |
300 |
30 |
5 |
54 |
0.061 |
64 |
20 |
920 |
150 |
D3PAK |
| IXTA50N28T |
SMD |
N |
340 |
280 |
- |
- |
50 |
0.066 |
87 |
180 |
- |
- |
TO-263 |
| IXTQ50N28T |
PTH |
N |
340 |
280 |
- |
- |
50 |
0.066 |
87 |
180 |
- |
- |
TO-3P |