Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTF200N10T

IXTF200N10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: ISOPLUSi4-PAC

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 156 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 90 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.007 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 152 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 76 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IXTF200N10T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXTA160N10T	SMD	N	430	100	30	4.5	160	0.007	132	60	-	175	TO-263
IXTA180N10T	SMD	N	480	100	30	4.5	180	0.0064	151	72	-	175	TO-263
IXTC200N10T	PTH	N	160	100	30	4.5	101	0.0063	152	76	-	175	ISOPLUS220
IXTH200N10T	PTH	N	550	100	30	4.5	200	0.0055	152	76	-	175	TO-247
IXTP160N10T	PTH	N	430	100	30	4.5	160	0.007	132	60	-	175	TO-220
IXTP180N10T	PTH	N	480	100	30	4.5	180	0.0064	151	72	-	175	TO-220
IXTQ200N10T	PTH	N	550	100	30	4.5	200	0.0055	152	76	-	175	TO-3P
IXTV200N10T	PTH	N	550	100	30	4.5	200	0.0055	152	76	-	175	PLUS220
IXTV200N10TS	SMD	N	550	100	30	4.5	200	0.0055	152	76	-	175	PLUS220SMD