Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTH13N80

IXTH13N80 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.8 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 145 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTH13N80 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH13N80	PTH	N	300	800	20	4.5	13	0.8	128	-	4200	150	TO-247
IXFH13N90	PTH	N	298	900	20	4.5	13	0.8	123	250	-	150	TO-247
IXFH15N80Q	PTH	N	298	800	20	4.5	15	0.6	90	250	-	150	TO-247
IXFH17N80Q	PTH	N	400	800	20	4.5	17	0.6	95	250	-	150	TO-247
IXFH23N80Q	PTH	N	500	800	30	4.5	23	0.42	120	250	-	150	TO-247
IXFT15N80Q	SMD	N	300	800	20	4.5	15	0.6	90	-	-	150	TO-268
IXFT17N80Q	SMD	N	400	800	20	4.5	17	0.6	95	27	350	150	TO-268
IXFT23N80Q	SMD	N	500	800	30	4.5	23	0.42	130	27	500	150	TO-268
IXTH14N80	PTH	N	300	800	20	4.5	14	0.7	145	-	-	150	TO-247