Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTH72N20

IXTH72N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-247

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 400 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 72 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.032 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 170 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTH72N20 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFH88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.03	146	200	-	150	TO-247
IXFK88N20Q	PTH	N	481	200	30	4	88	0.028	149	200	-	150	TO-264
IXFX88N20Q	PTH	N	500	200	30	4	88	0.028	146	200	-	150	PLUS247
IXTT72N20	SMD	N	400	200	20	4	72	0.032	170	200	-	150	TO-268