Транзистор IXTT72N20
IXTT72N20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-268
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 400 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 72 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.032 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 170 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTT72N20 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH88N20Q |
PTH |
N |
500 |
200 |
30 |
4 |
88 |
0.03 |
146 |
200 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFK88N20Q |
PTH |
N |
481 |
200 |
30 |
4 |
88 |
0.028 |
149 |
200 |
- |
150 |
TO-264 |
| IXFX88N20Q |
PTH |
N |
500 |
200 |
30 |
4 |
88 |
0.028 |
146 |
200 |
- |
150 |
PLUS247 |
| IXTH72N20 |
PTH |
N |
400 |
200 |
20 |
4 |
72 |
0.032 |
170 |
200 |
- |
150 |
TO-247 |