Транзистор IXTH75N15
IXTH75N15 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 330 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.023 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 210 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTH75N15 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| FDB075N15A |
SMD |
N |
333 |
150 |
20 |
4 |
92 |
0.0075 |
77 |
- |
- |
175 |
TO-263 |
| FDBL0630N150 |
SMD |
N |
500 |
150 |
20 |
4 |
169 |
0.005 |
70 |
- |
- |
175 |
H-PSOF8L |
| FDH055N15A |
PTH |
N |
429 |
150 |
20 |
4 |
118 |
0.0059 |
92 |
- |
- |
175 |
TO-247,TO-3P,TO-3PF |
| FDP075N15A |
PTH |
N |
333 |
150 |
20 |
4 |
120 |
0.0075 |
100 |
- |
- |
175 |
TO-220 |
| IXFH80N15Q |
PTH |
N |
357 |
150 |
20 |
4 |
80 |
0.0225 |
180 |
200 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXFK80N15Q |
PTH |
N |
357 |
150 |
20 |
4 |
80 |
0.0225 |
180 |
200 |
- |
150 |
TO-264 |
| IXFK90N20Q |
PTH |
N |
500 |
200 |
20 |
4 |
90 |
0.022 |
190 |
- |
- |
150 |
TO-264 |
| IXFT80N15Q |
SMD |
N |
357 |
150 |
20 |
4 |
80 |
0.0225 |
180 |
200 |
- |
150 |
TO-268 |
| IXFT80N20Q |
SMD |
N |
360 |
200 |
20 |
4 |
80 |
0.015 |
180 |
- |
4600 |
150 |
TO-268 |
| IXFX90N20Q |
PTH |
N |
500 |
200 |
20 |
4 |
90 |
0.022 |
190 |
- |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTH88N15 |
PTH |
N |
400 |
150 |
20 |
4 |
88 |
0.022 |
170 |
150 |
- |
150 |
TO-247 |
| IXTT88N15 |
SMD |
N |
400 |
150 |
20 |
4 |
88 |
0.022 |
170 |
150 |
- |
150 |
TO-268 |
| SUM85N15-19 |
SMD |
N |
375 |
150 |
20 |
4 |
85 |
0.019 |
76 |
170 |
530 |
175 |
TO-263 |