Транзистор IXTH7P50
IXTH7P50 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 180 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 130 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 3400 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTH7P50 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTH8P50 |
PTH |
P |
180 |
500 |
20 |
5 |
8 |
1.2 |
130 |
- |
3400 |
150 |
TO-247 |