Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTK102N30P

IXTK102N30P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-264

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 700 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 300 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 102 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.033 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 224 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 250 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTK102N30P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFK102N30P	PTH	N	700	300	20	5	102	0.033	224	200	-	150	TO-264
IXFK140N30P	PTH	N	1040	300	20	5	140	0.024	185	200	-	150	TO-264
IXFK150N30P3	PTH	N	1300	300	20	5	150	0.019	197	30	1910	150	TO-264
IXFN140N30P	Модуль	N	700	300	20	5	110	0.024	185	200	-	150	MINIBLOC
IXFX140N30P	PTH	N	1040	300	20	5	140	0.024	185	200	-	150	PLUS247
IXFX150N30P3	PTH	N	1300	300	20	5	150	0.019	197	30	1910	150	PLUS247
IXTK102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	TO-264P
IXTX102N65X2	PTH	N	1040	650	30	5	102	0.03	152	28	6100	150	PLUS247