Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTN60N50L2

IXTN60N50L2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: в корпусе типа силовой Модуль
Корпус: ISOTOP

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 735 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 53 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.1 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 610 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 980 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTN60N50L2 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXFK60N55Q2	PTH	N	735	550	30	4.5	60	0.088	200	250	-	150	TO-264
IXFK66N50Q2	PTH	N	735	500	30	4.5	66	0.08	200	250	-	150	TO-264
IXFN66N50Q2	Модуль	N	735	500	30	4.5	66	0.08	200	250	-	150	MINIBLOC
IXFN80N50Q2	Модуль	N	890	500	30	4.5	80	0.06	250	250	-	150	MINIBLOC
IXFX60N55Q2	PTH	N	735	550	30	4.5	60	0.088	200	250	-	150	PLUS247
IXFX66N50Q2	PTH	N	735	500	30	4.5	66	0.08	200	250	-	150	PLUS247
IXTK60N50L2	PTH	N	960	500	30	4.5	60	0.1	610	980	-	150	TO-264
IXTX60N50L2	PTH	N	960	500	30	4.5	60	0.1	610	980	-	150	PLUS247