Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTP60N10TM

IXTP60N10TM - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IXTP60N10TM можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB2918L SMD N 267 100 20 3.9 90 0.007 38 24 1530 175 TO-263
AOB412L SMD N 150 100 25 3.8 60 0.0155 45 16 260 175 TO-263
AOT2918L PTH N 267 100 20 3.9 90 0.007 38 24 1530 175 TO-220
AOT412 PTH N 150 100 25 3.8 60 0.0158 45 16 260 175 TO-220
BUK9Y15-100E SMD N 195 100 10 2.1 69 0.0147 45.8 32 269 175 LFPAK56
BUK9Y19-100E SMD N 167 100 10 2.1 56 0.018 39 36.8 222 175 LFPAK56
CSD19531KCS PTH N 214 100 20 3.3 100 0.0077 38 7.2 560 175 TO-220
IXTA60N10T SMD N 176 100 30 4.5 60 0.018 49 59 - 175 TO-263
IXTP60N10T PTH N 176 100 30 4.5 60 0.018 49 59 - 175 TO-220
IXTQ60N10T PTH N 176 100 - - 60 0.018 49 59 - - TO-3P
MTE010N10E3 PTH N 150 100 20 - 70 0.0096 48 12 250 175 TO-220AB
SQD50N10-8M9L SMD N 136 100 20 2.5 50 0.0089 46 12 1441 175 TO-252
SSF3018 PTH N 147 100 20 - 60 0.015 49 40 335 150 TO-220
STD45N10F7 SMD N 60 100 20 4.5 45 0.018 25 17 360 175 DPAK
STD80N10F7 SMD N 85 100 20 4.5 70 0.01 45 32 700 175 DPAK
STI45N10F7 PTH N 60 100 20 4.5 45 0.018 25 17 360 175 I2PAK
STP45N10F7 PTH N 60 100 20 4.5 45 0.018 25 17 360 175 TO-220
STP80N10F7 PTH N 110 100 20 4.5 80 0.01 45 32 700 175 TO-220
SUD50N10-18P SMD N 136.4 100 20 5 50 0.0185 48 10 230 175 TO-252
SUP60N10-18P PTH N 150 100 20 4.5 60 0.0183 48 10 230 175 TO-220AB
TK22E10N1 PTH N 72 100 20 4 52 0.0138 28 11 310 150 TO-220
TK32E12N1 PTH N 98 120 20 4 60 0.0138 34 14 330 150 TO-220
TK33S10N1Z SMD N 125 100 20 4 33 0.0097 28 8.4 1070 175 DPAK
TK34E10N1 PTH N 103 100 20 4 75 0.0095 38 12 450 150 TO-220
TK40E10N1 PTH N 126 100 20 4 40 0.0082 49 14 520 150 TO-220
TK55S10N1 SMD N 157 100 20 4 55 0.0065 49 11 1520 175 DPAK