Транзистор IXTQ150N15P
IXTQ150N15P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 714 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 150 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.013 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 190 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 150 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор IXTQ150N15P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXFH160N15T |
PTH |
N |
830 |
150 |
30 |
5 |
160 |
0.0096 |
160 |
90 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTH150N17T |
PTH |
N |
830 |
175 |
30 |
5 |
150 |
0.012 |
155 |
120 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTH160N15T |
PTH |
N |
830 |
150 |
30 |
5 |
160 |
0.0096 |
160 |
115 |
- |
175 |
TO-247 |
| IXTK150N15P |
PTH |
N |
714 |
150 |
20 |
5 |
150 |
0.013 |
190 |
150 |
- |
175 |
TO-264 |