Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTQ180N10T

IXTQ180N10T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-3P

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 480 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 180 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0064 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 151 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 100 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор IXTQ180N10T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXTA180N10T	SMD	N	480	100	30	4.5	180	0.0064	151	72	-	175	TO-263
IXTA180N10T7	SMD	N	480	100	30	4.5	180	0.0064	151	100	-	175	TO-263
IXTH180N10T	PTH	N	480	100	30	4.5	180	0.0064	151	100	-	175	TO-247
IXTH200N10T	PTH	N	550	100	30	4.5	200	0.0055	152	76	-	175	TO-247
IXTP180N10T	PTH	N	480	100	30	4.5	180	0.0064	151	72	-	175	TO-220
IXTQ200N10T	PTH	N	550	100	30	4.5	200	0.0055	152	76	-	175	TO-3P
IXTV200N10T	PTH	N	550	100	30	4.5	200	0.0055	152	76	-	175	PLUS220
IXTV200N10TS	SMD	N	550	100	30	4.5	200	0.0055	152	76	-	175	PLUS220SMD