Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTT64N25P

IXTT64N25P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-268

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 400 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 64 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.049 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 105 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: 200 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTT64N25P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
IXTA76N25T	SMD	N	460	250	30	5	76	0.039	92	148	-	150	TO-263
IXTH76N25T	PTH	N	460	250	30	5	76	0.039	92	148	-	150	TO-247
IXTI76N25T	PTH	N	460	250	30	5	76	0.039	92	25	480	150	TO-262
IXTP76N25T	PTH	N	460	250	30	5	76	0.039	92	148	-	150	TO-220
IXTQ64N25P	PTH	N	400	250	20	5	64	0.049	105	200	-	150	TO-3P
IXTQ76N25T	PTH	N	460	250	30	5	76	0.039	92	148	-	150	TO-3P