Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTY1N80P

IXTY1N80P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 42 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 14 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 700 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор IXTY1N80P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BUZ51	PTH	N	125	1000	20	4	3.4	4	-	70	85	150	TO-220AB
CEB05N8	SMD	N	139	800	30	4	4.4	2.9	-	71	105	150	TO-263
CED05N8	PTH	N	83	800	30	4	3.4	2.9	-	71	105	150	TO-251
CEF05N8	PTH	N	45	800	30	4	4.4	2.9	-	71	105	150	TO-220F
CEP05N8	PTH	N	139	800	30	4	4.4	2.9	-	71	105	150	TO-220
IXTP1N80P	PTH	N	42	800	20	4	1	14	-	700	-	150	TO-220