Транзистор IXTY1R6N50P
IXTY1R6N50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 43 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6.5 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 400 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор IXTY1R6N50P можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IXTA3N50P |
SMD |
N |
70 |
500 |
30 |
5.5 |
3.6 |
2 |
- |
400 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTA5N50P |
SMD |
N |
89 |
500 |
30 |
5.5 |
5 |
1.4 |
12.6 |
400 |
- |
150 |
TO-263 |
| IXTU5N50P |
PTH |
N |
89 |
500 |
30 |
5.5 |
5 |
1.4 |
12.6 |
400 |
- |
150 |
TO-251 |
| IXTY2R4N50P |
SMD |
N |
55 |
500 |
30 |
5.5 |
2.4 |
3.75 |
- |
400 |
- |
150 |
TO-252AA |
| IXTY3N50P |
SMD |
N |
70 |
500 |
30 |
5.5 |
3.6 |
2 |
- |
400 |
- |
150 |
TO-252AA |
| IXTY5N50P |
SMD |
N |
89 |
500 |
30 |
5.5 |
5 |
1.4 |
- |
400 |
- |
150 |
TO-252AA |