Справочник электронных компонентов

Транзистор IXTY2R4N50P

IXTY2R4N50P - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор IXTY2R4N50P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
IXFA10N80P SMD N 300 800 30 5.5 10 1.1 40 250 - 150 TO-263
IXFC12N80P PTH N 120 800 30 5.5 7 0.93 51 250 - 150 ISOPLUS220
IXFC14N80P PTH N 130 800 30 5.5 8 0.77 61 250 - 150 ISOPLUS220
IXFH10N80P PTH N 300 800 30 5.5 10 1.1 40 250 - 150 TO-247
IXFH12N80P PTH N 360 800 30 5.5 12 0.85 51 250 - 150 TO-247
IXFH14N100Q2 PTH N 500 1000 30 5.5 14 0.95 83 300 - 150 TO-247
IXFP10N80P PTH N 300 800 30 5.5 10 1.1 40 250 - 150 TO-220
IXFQ10N80P PTH N 300 800 30 5.5 10 1.1 40 250 - 150 TO-3P
IXFQ12N80P PTH N 360 800 30 5.5 12 0.85 51 250 - 150 TO-3P
IXFV12N80P PTH N 360 800 30 5.5 12 0.85 51 250 - 150 PLUS220
IXFV12N80PS SMD N 360 800 30 5.5 12 0.85 51 250 - 150 PLUS220SMD
IXTA3N50P SMD N 70 500 30 5.5 3.6 2 - 400 - 150 TO-263
IXTA5N50P SMD N 89 500 30 5.5 5 1.4 12.6 400 - 150 TO-263
IXTA8N50P SMD N 150 500 30 5.5 8 0.8 20 400 - 150 TO-263
IXTU5N50P PTH N 89 500 30 5.5 5 1.4 12.6 400 - 150 TO-251
IXTY3N50P SMD N 70 500 30 5.5 3.6 2 - 400 - 150 TO-252AA
IXTY5N50P SMD N 89 500 30 5.5 5 1.4 - 400 - 150 TO-252AA