Транзистор KI1N60DS
KI1N60DS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.4 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 25 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5.1 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 22 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор KI1N60DS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS1N60_B1R |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
- |
1.5 |
8 |
- |
5 |
18 |
150 |
TO-92 |
| CS1N60B1R |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
4 |
0.9 |
8 |
5.2 |
5 |
18 |
150 |
TO-92 |
| CS1N65_B1 |
PTH |
N |
3 |
650 |
30 |
- |
1.5 |
9.5 |
- |
4.5 |
17 |
150 |
TO-92 |
| CS1N65B1 |
PTH |
N |
3 |
650 |
30 |
4 |
0.9 |
9.5 |
5.3 |
4.5 |
17 |
150 |
TO-92 |
| CS1N80_A1H |
PTH |
N |
3 |
800 |
30 |
- |
1 |
15 |
- |
4.6 |
16 |
150 |
TO-92 |
| CS1N80A1H |
PTH |
N |
3 |
800 |
30 |
4 |
0.65 |
15 |
6.7 |
4.6 |
16 |
150 |
TO-92 |
| SMK0160 |
PTH |
N |
0.625 |
600 |
30 |
- |
0.3 |
11.5 |
- |
5 |
19.4 |
150 |
TO-92 |
| STQ1NK60ZR-AP |
PTH |
N |
3 |
600 |
30 |
- |
0.3 |
13 |
- |
5 |
17.6 |
150 |
TO-92 |