Транзистор KRF7606
KRF7606 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: Micro8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.8 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор KRF7606 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3431P |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
1 |
7.5 |
0.024 |
19 |
5 |
163 |
150 |
TSOP-6 |
| AM7363P |
SMD |
P |
3.5 |
60 |
20 |
1 |
7.1 |
0.047 |
19 |
14 |
128 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7367P |
SMD |
P |
3.5 |
60 |
20 |
1 |
5.4 |
0.082 |
10 |
5 |
84 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM9435P |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
20 |
1 |
6.5 |
0.049 |
7.7 |
5 |
120 |
150 |
SO-8 |
| IRF5800 |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
1 |
4 |
0.085 |
11.4 |
11 |
94 |
150 |
TSOP-6 |
| IRF7606PBF |
SMD |
P |
1.8 |
30 |
20 |
1 |
3.6 |
0.09 |
20 |
20 |
300 |
150 |
Micro8 |
| STS6P3LLH6 |
SMD |
P |
2.7 |
30 |
20 |
1 |
6 |
0.03 |
12 |
15 |
178 |
150 |
SO-8 |