Транзистор MMFTN20
MMFTN20 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-236
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.3 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 1.8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 15 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MMFTN20 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| 2SK4150 |
PTH |
N |
0.75 |
250 |
10 |
- |
0.4 |
5.7 |
- |
14 |
11.4 |
150 |
TO-92 |
| SIA850DJ |
SMD |
N |
1.9 |
190 |
16 |
1.4 |
0.47 |
3.8 |
3 |
15 |
5 |
150 |
SC-70-6Dual |
| UK1398 |
SMD и PTH |
N |
0.625 |
50 |
7 |
- |
0.1 |
14 |
- |
100 |
7 |
150 |
TO-92,SOT-223 |