Справочник электронных компонентов

Транзистор MSD2N70

MSD2N70 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: TO-252

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 44 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 700 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.6 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 6 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 45 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MSD2N70 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP70WN1K5P	PTH	N	89.2	700	30	4	6	1.5	-	23	45	150	TO-220
AP70WN2K8H	SMD	N	50	700	30	4	4	2.8	-	17	34	150	TO-252
CS3N70A3H-G	PTH	N	55	700	30	4	3	4.2	11	6	39	150	TO-251
MSF2N70	PTH	N	45	700	30	4	1.6	6	-	25	45	150	TO-220F
MSU2N70	PTH	N	44	700	30	4	1.6	6	-	25	45	150	TO-251
TK2P90E	SMD	N	80	900	30	4	2	5.9	12	25	40	150	DPAK
TK3P80E	SMD	N	80	800	30	4	3	4.9	12	25	40	150	DPAK