Справочник электронных компонентов

Транзистор MSF20N50

MSF20N50 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220F

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 500 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.26 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 400 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 400 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор MSF20N50 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
MDQ23N50DTP	PTH	N	290	500	30	4	23	0.245	-	155	325	150	TO-247
SIHB28N60EF	SMD	N	250	600	30	4	28	0.123	80	40	123	150	TO-263
SIHB33N60EF	SMD	N	278	600	30	4	33	0.098	103	43	154	150	TO-263
SIHG28N60EF	PTH	N	250	600	30	4	28	0.123	80	40	123	150	TO-247AC
SIHG33N60EF	PTH	N	278	600	30	4	33	0.098	103	43	154	150	TO-247AC
SIHG47N60EF	PTH	N	379	600	30	4	47	0.065	152	56	220	150	TO-247AC
SIHH26N60E	SMD	N	202	600	30	4	25	0.135	77	54	125	150	PowerPAK8X8
SIHP28N60EF	PTH	N	250	600	30	4	28	0.123	80	40	123	150	TO-220AB
SIHP33N60EF	PTH	N	278	600	30	4	33	0.098	103	43	154	150	TO-220AB
TMAN23N50	PTH	N	347	500	30	4	23	0.22	66	64	357	150	TO-3PN
TSM23N50CN	PTH	N	200	500	30	4	23	0.22	66	64	357	150	TO-3PN