Справочник электронных компонентов

Транзистор MSU12N60T

MSU12N60T - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор MSU12N60T можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN12N65T220T PTH N 225 650 30 4 12 0.8 24.15 61.67 155 150 TO-220
AOB12N60FD SMD N 278 600 30 4 12 0.65 - 90 166 150 TO-263
AOB25S65 SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOB25S65L SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOT12N60FD PTH N 278 600 30 4 12 0.65 41 90 166 150 TO-220
AOT25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOT25S65L PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOW25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-262
APQ12SN60A PTH N 225 600 30 4 12 0.65 - 83 180 150 TO-220
APQ12SN60AH PTH N 225 600 30 4 12 0.65 - 83 180 150 TO-220
CS12N60 PTH N 225 600 30 4 12 0.65 - 85 182 150 TO-220
FQB12N60CTM SMD N 225 600 30 4 12 0.65 48 85 182 150 D2PAK
FQI12N60CTU PTH N 225 600 30 4 12 0.53 48 85 182 150 I2PAK
HFP12N60S PTH N 225 600 30 4 12 0.65 38 85 185 150 TO-220
HFP12N65S PTH N 225 650 30 4 12 0.78 38 85 185 150 TO-220
HFW12N60S SMD N 225 600 30 4 12 0.65 38 85 185 150 D2PAK
PJP12NA60 PTH N 225 600 30 4 12 0.7 - 72 167 150 TO-220AB
SIHB22N65E SMD N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-263
SIHG22N60E PTH N 227 600 30 4 21 0.18 57 27 90 150 TO-247AC
SIHG22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-247AC
SIHP22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-220AB
TMAN20N60 PTH N 347 600 30 4 20 0.33 76 63 146 150 TO-3PN
TMP12N60 PTH N 231 600 30 4 12 0.65 39 53 185 150 TO-220