Транзистор MTE1K8N25J3
MTE1K8N25J3 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 250 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.71 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 13 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор MTE1K8N25J3 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| IPD50R1K4CE |
SMD |
N |
25 |
500 |
20 |
3.5 |
3.1 |
1.4 |
- |
6 |
11 |
150 |
TO-252 |
| IPU50R1K4CE |
PTH |
N |
25 |
500 |
20 |
3.5 |
3.1 |
1.4 |
- |
6 |
11 |
150 |
TO-251 |
| STB6N65M2 |
SMD |
N |
60 |
650 |
25 |
4 |
4 |
1.35 |
9.8 |
7 |
12.8 |
150 |
D2PAK |
| STD5N60M2 |
SMD |
N |
45 |
600 |
25 |
4 |
3.5 |
1.4 |
8.5 |
3 |
13 |
150 |
DPAK |
| STD6N65M2 |
SMD |
N |
60 |
650 |
25 |
4 |
4 |
1.35 |
9.8 |
7 |
12.8 |
150 |
DPAK |
| STU5N60M2 |
PTH |
N |
45 |
600 |
25 |
4 |
3.5 |
1.4 |
8.5 |
3 |
13 |
150 |
IPAK |
| STU6N65M2 |
PTH |
N |
60 |
650 |
25 |
4 |
4 |
1.35 |
9.8 |
7 |
12.8 |
150 |
IPAK |