Справочник электронных компонентов

Транзистор NDC632P

NDC632P - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Основные характеристики:

Транзистор NDC632P можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AM3403P SMD P 2 30 20 1 4 0.056 6.4 10 - 150 TSOP-6
AM3443C SMD P 1.6 20 12 1 4.3 0.048 8.8 18 120 150 SOT-26
AM3447P SMD P 2 40 20 1 4 0.07 6.4 10 - 150 TSOP-6
AM3455P SMD P 2 30 20 1 3.4 0.112 4.5 12 - 150 TSOP-6
AM3457P SMD P 2 30 20 1 5 0.054 4.9 11.7 38 150 TSOP-6
AM3457PE SMD P 2 30 20 1 4 0.056 6.4 10 - 150 TSOP-6
AM6415 SMD P 2.1 20 12 1 4.4 0.071 5.2 13.2 72 150 SOT-26
AM7367P SMD P 3.5 60 20 1 5.4 0.082 10 5 84 150 DFN3X3-8L
AM7381P SMD P 3.5 80 20 1 4.3 0.129 13 9 141 150 DFN3X3-8L
AM9435P SMD P 3.1 30 20 1 6.5 0.049 7.7 5 120 150 SO-8
CHM2401JGP SMD P 2.5 20 12 1 6 0.044 10.4 10 230 150 SO-8
CHM2407JGP SMD P 2 20 12 1 5.3 0.045 10.6 9.2 225 150 SO-8
FDMA291P SMD P 2.8 20 8 1 6.6 0.042 10 - - 150 MicroFET2X2
FDT434P SMD P 3 20 8 1 6 0.05 13 - - 150 SOT-223
IRF5800 SMD P 2 30 20 1 4 0.085 11.4 11 94 150 TSOP-6
NVF6P02 SMD P 8.3 20 8 1 10 0.05 15 25 350 150 SOT-223
SIA443DJ SMD P 3.3 20 8 1 6.7 0.045 15 100 140 150 SC-70-6L
SIA811ADJ SMD P 1.6 20 8 1 3.2 0.116 8.4 45 65 150 SC-70-6Dual
SIA813DJ SMD P 2.3 20 8 1 3.6 0.094 8.5 35 75 150 SC-70-6Dual
SIB411DK SMD P 2.4 20 8 1 4.8 0.066 10 40 95 150 SC-75-6L
SIB433EDK SMD P 2.4 20 8 1 5.3 0.058 14 1 - 150 SC-75-6L
SM2603PSC SMD P 1.6 20 12 1 4.3 0.048 8.8 18 120 150 TO-236
STS6P3LLH6 SMD P 2.7 30 20 1 6 0.03 12 15 178 150 SO-8
STT3P2UH7 SMD P 1.6 30 8 1 3 0.1 4.8 21 66 150 SOT-23
TSM3433CX6 SMD P 2 20 8 1 5.6 0.042 12.5 43 191 150 SOT-26
TSM9434CS SMD P 2.5 20 8 1 6.4 0.04 12.5 43 191 150 SOP-8