Транзистор NTMS5P02
NTMS5P02 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOIC-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 7.05 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.026 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 20 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NTMS5P02 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM50P04-20D |
SMD |
P |
50 |
40 |
20 |
1 |
41 |
0.02 |
19 |
18 |
- |
175 |
TO-252 |
| ATP101 |
SMD |
P |
30 |
30 |
20 |
- |
25 |
0.023 |
18.5 |
- |
- |
150 |
ATPAK |
| CHM4201PAGP |
SMD |
P |
38 |
40 |
20 |
3 |
28 |
0.026 |
18 |
6 |
220 |
150 |
TO-252 |
| CHM4311PAGP |
SMD |
P |
36 |
30 |
20 |
3 |
33 |
0.018 |
16.4 |
7 |
395 |
150 |
TO-252 |
| FDD6685 |
SMD |
P |
52 |
30 |
25 |
3 |
40 |
0.02 |
17 |
- |
- |
175 |
TO-252 |
| QM3003D |
SMD |
P |
34.7 |
30 |
20 |
2.5 |
35 |
0.02 |
12.5 |
11.2 |
194 |
150 |
TO-252 |
| SQS423EN |
SMD |
P |
62.5 |
30 |
20 |
2.5 |
16 |
0.021 |
17 |
43 |
335 |
175 |
PowerPAK1212-8 |
| STP6635GH |
SMD и PTH |
P |
44 |
30 |
20 |
3 |
40 |
0.02 |
16.5 |
65 |
169 |
150 |
TO-251,TO-252 |