Транзистор NTTFS5116PL
NTTFS5116PL - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WDFN8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.7 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.052 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 25 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор NTTFS5116PL можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM7363P |
SMD |
P |
3.5 |
60 |
20 |
1 |
7.1 |
0.047 |
19 |
14 |
128 |
150 |
DFN3X3-8L |
| AM7461P |
SMD |
P |
5 |
60 |
20 |
1 |
10 |
0.045 |
15.3 |
12 |
- |
150 |
SOIC-8PP |
| NVTFS5116PL |
SMD |
P |
21 |
60 |
20 |
- |
14 |
0.037 |
25 |
- |
- |
- |
WDFN8 |
| QM6015S |
SMD |
P |
5.2 |
60 |
20 |
2.5 |
11 |
0.025 |
25 |
23.6 |
224 |
150 |
SOP-8 |