Справочник электронных компонентов

Транзистор NVB6410AN

NVB6410AN - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор NVB6410AN можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB410L SMD N 333 100 25 4 150 0.0062 107 22 594 175 TO-263
AOT410L PTH N 333 100 25 4 150 0.0065 107 22 594 175 TO-220
AOW410 PTH N 333 100 25 4 150 0.0065 107 22 594 175 TO-262
BUK768R1-100E SMD N 263 100 20 4 100 0.0081 108 44.1 521 175 D2PAK
BUK7Y12-100E SMD N 238 100 20 4 85 0.012 68 18 349 175 LFPAK56
IRF100B202 PTH N 221 100 20 4 97 0.0086 77 56 319 175 TO-220AB
IRFB4310ZGPBF PTH N 250 100 20 4 120 0.006 120 60 490 175 TO-220AB
IRFB4310ZPBF PTH N 250 100 20 4 120 0.006 120 60 490 175 TO-220AB
IRFB4410 PTH N 250 100 20 4 96 0.01 120 80 360 175 TO-220AB
IRFB4410ZGPBF PTH N 230 100 20 4 97 0.009 83 52 340 175 TO-220AB
IRFB4410ZPBF PTH N 230 100 20 4 97 0.009 83 52 340 175 TO-220AB
IRFP4410ZPBF PTH N 230 100 20 4 97 0.009 120 52 340 175 TO-247AC
IRFS4310ZPBF SMD N 250 100 20 4 120 0.006 120 60 490 175 TO-263
IRFS4410PBF SMD N 200 100 20 4 88 0.01 120 80 360 175 TO-263
IRFS4410ZPBF SMD N 230 100 20 4 97 0.009 83 52 340 175 TO-263
IRFSL4310ZPBF PTH N 250 100 20 4 120 0.006 120 60 490 175 TO-262
IRFSL4410PBF PTH N 200 100 20 4 88 0.01 120 80 360 175 TO-262
IRFSL4410ZPBF PTH N 230 100 20 4 97 0.009 83 52 340 175 TO-262
PSMN8R5-100ES PTH N 263 100 20 4 100 0.0085 111 35 380 175 I2PAK
PSMN8R5-100PS PTH N 263 100 20 4 100 0.0085 111 35 380 175 TO-220AB
PSMN8R5-108ES PTH N 263 108 20 4 100 0.0085 111 35 380 175 I2PAK
PSMN9R5-100BS SMD N 211 100 20 4 89 0.0096 67 25.2 302 175 D2PAK
STP130N10F3 PTH N 250 100 20 4 120 0.0096 57 38 373 175 TO-220