Справочник электронных компонентов

Транзистор P0908AT

P0908AT - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 64 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 42 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 355 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор P0908AT можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AOI296A	PTH	N	89	100	20	2.3	70	0.0083	-	30	245	150	TO-251A
BR80N08	PTH	N	165	80	20	-	80	0.008	-	17.8	330	150	TO-220
BRB80N08	SMD	N	165	80	20	-	80	0.008	-	17.8	330	150	TO-263
FTK7509	PTH	N	165	80	20	-	80	0.008	-	17.8	330	150	TO-220
IPP083N10N5	PTH	N	100	100	20	3.8	73	0.0083	-	5	337	175	TO-220
PSMN8R7-80BS	SMD	N	170	80	20	4	90	0.0087	44	26	296	175	D2PAK
SSF1006A	SMD	N	326	100	20	-	200	0.0055	108	15.6	350	175	D2PAK
SSF7509	PTH	N	165	80	20	-	80	0.008	93.6	15.2	330	150	TO-220
SSF7509A	SMD	N	165	80	20	-	80	0.008	93.6	15.2	352	175	D2PAK
SSF7509J7	SMD	N	98	80	20	-	70	0.009	93.6	15.2	352	150	PQFN5X6
SSF8509	PTH	N	200	85	20	-	80	0.009	93.6	15.2	352	175	TO-220