Транзистор P1603BV
P1603BV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.6 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 29 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 179 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P1603BV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4264 |
SMD |
N |
3.1 |
60 |
20 |
2.5 |
12 |
0.011 |
- |
3.5 |
177 |
150 |
SO-8 |
| AO4306 |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.5 |
13 |
0.0115 |
- |
9 |
125 |
150 |
SOP-8 |
| AO4406A |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.5 |
13 |
0.0115 |
- |
9 |
125 |
150 |
SO-8 |
| AON7430 |
SMD |
N |
23 |
30 |
20 |
2.5 |
34 |
0.012 |
- |
9 |
125 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7702B |
SMD |
N |
23 |
30 |
20 |
2.5 |
20 |
0.0095 |
- |
3 |
135 |
150 |
DFN3X3 |
| AP4028GEMT |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.5 |
18.6 |
0.009 |
- |
8 |
170 |
150 |
PMPAK5X6 |
| QM4004S |
SMD |
N |
3.47 |
40 |
20 |
2.5 |
13 |
0.012 |
10.7 |
3.4 |
120 |
150 |
SOP-8 |
| RS1E130GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
13 |
0.0117 |
7.9 |
4.3 |
120 |
150 |
HSOP8 |
| RS1E150GN |
SMD |
N |
3 |
30 |
20 |
2.5 |
15 |
0.0088 |
10 |
4.5 |
160 |
150 |
HSOP8 |
| RU3030M2 |
SMD |
N |
3.5 |
30 |
20 |
2.5 |
10.8 |
0.015 |
- |
10 |
180 |
150 |
PDFN3333 |
| RU3040M |
SMD |
N |
4.2 |
30 |
20 |
2.5 |
13 |
0.014 |
- |
10 |
180 |
150 |
PDFN5X6 |
| STL51N3LLH5 |
SMD |
N |
4 |
30 |
22 |
2.5 |
12.6 |
0.0145 |
5 |
4.2 |
132 |
150 |
PowerFLAT5X6 |