Транзистор P9006ETF
P9006ETF - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220F
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 35 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.09 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 120 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 129 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор P9006ETF можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP6P090H |
SMD |
P |
36.7 |
60 |
20 |
3 |
15 |
0.09 |
- |
21 |
110 |
150 |
TO-252 |
| AP6P090J |
PTH |
P |
36.7 |
60 |
20 |
3 |
15 |
0.09 |
- |
21 |
110 |
150 |
TO-251 |
| BRD18P06 |
SMD |
P |
42 |
60 |
20 |
- |
18 |
0.077 |
- |
17.5 |
80 |
150 |
TO-252 |
| MTB032P06V8 |
SMD |
P |
36 |
60 |
25 |
- |
25 |
0.029 |
- |
12 |
109 |
150 |
DFN3X3 |
| MTB110P10E3 |
PTH |
P |
140 |
100 |
20 |
- |
23 |
0.08 |
- |
18.2 |
104 |
175 |
TO-220 |
| MTB110P10F3 |
SMD |
P |
140 |
100 |
20 |
- |
23 |
0.08 |
- |
18.2 |
104 |
175 |
TO-263 |
| P9006EI |
PTH |
P |
51 |
60 |
20 |
- |
18 |
0.09 |
- |
15 |
130 |
150 |
TO-251 |
| P9006ESG |
SMD |
P |
54 |
60 |
20 |
- |
18 |
0.09 |
- |
15 |
99 |
150 |
TO-263 |
| UTT15P06 |
SMD и PTH |
P |
40 |
60 |
20 |
- |
15 |
0.09 |
- |
30 |
115 |
150 |
TO-220,TO-251,TO-252 |
| UTT18P06 |
SMD |
P |
38.5 |
60 |
20 |
- |
18.3 |
0.048 |
- |
43 |
95 |
150 |
TO-252 |