Справочник электронных компонентов

Транзистор PA410BD

PA410BD - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор PA410BD можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN1530 PTH N 75 100 20 2.5 15 0.115 10 8 50 150 TO-220
IPB65R065C7 SMD N 171 650 20 4 33 0.065 - 14 48 150 TO-263
IPB65R095C7 SMD N 128 650 20 4 24 0.095 - 12 33 150 TO-263
IPB65R125C7 SMD N 101 650 20 4 18 0.125 - 15 26 150 TO-263
IPL65R070C7 SMD N 169 650 20 4 28 0.07 - 6 48 150 ThinPAK8X8
IPP60R099C7 PTH N 110 600 20 4 22 0.099 - 8 33 150 TO-220
IPP65R065C7 PTH N 171 650 20 4 33 0.065 - 14 48 150 TO-220
IPP65R095C7 PTH N 128 650 20 4 24 0.095 - 12 33 150 TO-220
IPP65R125C7 PTH N 101 650 20 4 18 0.125 - 15 26 150 TO-220
IPW60R099C7 PTH N 110 600 20 4 22 0.099 - 8 33 150 TO-247
IPW65R065C7 PTH N 171 650 20 4 33 0.065 - 14 48 150 TO-247
IPW65R095C7 PTH N 128 650 20 4 24 0.095 - 12 33 150 TO-247
IPW65R125C7 PTH N 101 650 20 4 18 0.125 - 15 26 150 TO-247
IPZ60R099C7 PTH N 110 600 20 4 22 0.099 - 6 33 150 TO-247-4
IPZ65R065C7 PTH N 171 650 20 4 33 0.065 - 7 48 150 TO-247-4
IPZ65R095C7 PTH N 128 650 20 4 24 0.095 - 8 33 150 TO-247-4
SM1A23NSU SMD N 44 100 20 - 15 0.1 - 6 45 150 TO-252
SM1A24NSU SMD N 36 100 20 - 12 0.12 - 7 36 150 TO-252