Транзистор PHB145NQ06T
PHB145NQ06T - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: D2PAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 46 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 785 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор PHB145NQ06T можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK763R9-60E |
SMD |
N |
263 |
60 |
20 |
4 |
100 |
0.0039 |
103 |
41.4 |
737 |
175 |
D2PAK |
| BUK764R2-80E |
SMD |
N |
324 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0042 |
136 |
45.5 |
753 |
175 |
D2PAK |
| IPT059N15N3 |
SMD |
N |
375 |
150 |
20 |
4 |
155 |
0.0059 |
- |
35 |
630 |
175 |
HSOF-8 |
| KUK7606-55B |
SMD |
N |
254 |
55 |
20 |
4 |
145 |
0.006 |
64 |
46 |
783 |
175 |
TO-263 |
| PSMN3R3-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0035 |
104 |
29 |
701 |
175 |
D2PAK |
| PSMN3R9-60PS |
PTH |
N |
263 |
60 |
20 |
4 |
130 |
0.0039 |
103 |
41.4 |
740 |
175 |
TO-220AB |
| PSMN4R3-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
120 |
0.0043 |
104 |
28.6 |
701 |
175 |
D2PAK |
| PSMN4R4-80BS |
SMD |
N |
306 |
80 |
20 |
4 |
100 |
0.0045 |
112 |
38.1 |
700 |
175 |
D2PAK |
| PSMN5R6-100BS |
SMD |
N |
306 |
100 |
20 |
4 |
100 |
0.0056 |
141 |
46 |
561 |
175 |
D2PAK |
| SUM90N08-4M8P |
SMD |
N |
300 |
75 |
20 |
4 |
90 |
0.0048 |
105 |
17 |
571 |
175 |
TO-263 |
| SUP90N08-4M8P |
PTH |
N |
300 |
75 |
20 |
4 |
90 |
0.0048 |
105 |
17 |
571 |
175 |
TO-220AB |