Справочник электронных компонентов

Транзистор PJF7NA65

PJF7NA65 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор PJF7NA65 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB7S65 SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOB7S65L SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOD7S65 SMD N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-252
AOI7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251A
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOU7S65 PTH N 89 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-251
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW7S65 PTH N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-262
CDM7-650 SMD N 140 650 30 4 7 1.5 16.8 28 97 150 DPAK
CS7N65A3TDY PTH N 95 650 30 4 7 1.4 24 10 93 150 TO-251
CS7N65A4TDY SMD N 95 650 30 4 7 1.4 24 10 93 150 TO-252
MMD70R600PRH SMD N 71 700 30 4 7.3 0.6 23 27.6 34.9 150 TO-252
PJD7NA65 SMD N 140 650 30 4 7 1.5 - 28 97 150 TO-252AA
PJP7NA65 PTH N 145 650 30 4 7 1.5 - 28 97 150 TO-220AB
PJU7NA65 PTH N 140 650 30 4 7 1.5 - 28 97 150 TO-251AA
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHB6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-263
SIHD6N65E SMD N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-252
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SIHP6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-220AB
SIHU6N65E PTH N 78 650 30 4 7 0.6 24 12 40 150 TO-251