Справочник электронных компонентов

Транзистор PJN1NA60

PJN1NA60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор PJN1NA60 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AP60WN4K5I PTH N 24 600 30 4 2 4.5 - 8 19 150 TO-220F
AP60WN4K9I PTH N 22.7 600 30 4 2 4.9 - 10 19 150 TO-220F
APQ01SN60AA PTH N 20 600 30 4 1 9.3 - 5.7 20 150 TO-251
APQ01SN60AB SMD N 20 600 30 4 1 9.3 - 5.7 20 150 TO-252
APQ0DSN60AJ PTH N 3.5 600 30 4 0.4 8.9 - 15 12 150 TO-92
CS1N60B1R PTH N 3 600 30 4 0.9 8 5.2 5 18 150 TO-92
CS1N60C3H PTH N 30 600 30 4 1 10.5 4.7 5 14.5 150 TO-251
CS1N60F PTH N 17 600 30 4 1 12 - 20 20 150 TO-220F
CS1N65B1 PTH N 3 650 30 4 0.9 9.5 5.3 4.5 17 150 TO-92
L1N60A PTH N 9 600 30 4 1 11.5 5.2 9.9 16 150 TO-92
L1N60I PTH N 28 600 30 4 1 11.5 5.2 9.9 16 150 TO-251
PJD1NA60 SMD N 27 600 30 4 1 14 - 20 21 150 TO-252
PJU1NA60 PTH N 27 600 30 4 1 14 - 20 21 150 TO-251AB
PJW1NA60 SMD N 3.3 600 30 4 0.3 14 3.3 20 21 150 SOT-223
TSM1N60SCT PTH N 3 600 30 4 0.3 13 4.5 20 20 150 TO-92