Транзистор PMR670UPE
PMR670UPE - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-75
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.25 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.48 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.85 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 0.76 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 21 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PMR670UPE можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMZB670UPE |
SMD |
P |
0.36 |
20 |
8 |
1.3 |
0.68 |
0.85 |
0.76 |
30 |
21 |
150 |
DFN1006B-3 |