Транзистор PZ2003EV
PZ2003EV - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.02 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 293 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор PZ2003EV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4335 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
10.5 |
0.014 |
- |
8.5 |
240 |
150 |
SOP-8 |
| AO4435 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
10.5 |
0.018 |
- |
8.5 |
240 |
150 |
SO-8 |
| AP4453AGYT-HF |
SMD |
P |
3.13 |
30 |
25 |
3 |
12.8 |
0.013 |
- |
10 |
290 |
150 |
PMPAK3X3 |
| AP4835GM-HF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
9.2 |
0.02 |
- |
6.6 |
195 |
150 |
SO-8 |
| SI3421DV |
SMD |
P |
2 |
30 |
20 |
3 |
8.3 |
0.0192 |
- |
9 |
256 |
150 |
TSOP-6 |