Транзистор RF1S40N10
RF1S40N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-262AA
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 160 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 300 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор RF1S40N10 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| BUK7Y12-100E |
SMD |
N |
238 |
100 |
20 |
4 |
85 |
0.012 |
68 |
18 |
349 |
175 |
LFPAK56 |
| CS3710B8 |
PTH |
N |
200 |
100 |
20 |
4 |
57 |
0.023 |
72 |
30 |
620 |
175 |
TO-220AB |
| FDI2532 |
PTH |
N |
310 |
150 |
20 |
4 |
79 |
0.016 |
107 |
30 |
615 |
175 |
TO-262AB |
| KDB2532 |
SMD |
N |
310 |
150 |
20 |
4 |
79 |
0.016 |
82 |
30 |
615 |
175 |
TO-263 |
| PSMN013-100YSE |
SMD |
N |
238 |
100 |
20 |
4 |
82 |
0.013 |
75 |
23 |
265 |
175 |
LFPAK |
| PSMN9R5-100BS |
SMD |
N |
211 |
100 |
20 |
4 |
89 |
0.0096 |
67 |
25.2 |
302 |
175 |
D2PAK |
| SM1F01NF |
PTH |
N |
300 |
150 |
30 |
4 |
80 |
0.016 |
110 |
18 |
600 |
175 |
TO-220 |
| SM2A01NSFP |
PTH |
N |
300 |
200 |
25 |
4 |
65 |
0.028 |
110 |
16 |
600 |
175 |
TO-220FP |