Транзистор RJK03F6DNS
RJK03F6DNS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: HWSON8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 20 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 30 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0064 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.3 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 310 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK03F6DNS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6246 |
SMD |
N |
83 |
60 |
20 |
2.5 |
80 |
0.0064 |
- |
2 |
258 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6426 |
SMD |
N |
42 |
30 |
20 |
2.5 |
65 |
0.0055 |
37 |
8.6 |
290 |
150 |
DFN5X6 |
| AON7426 |
SMD |
N |
29 |
30 |
20 |
2.35 |
40 |
0.0055 |
44 |
4 |
283 |
150 |
DFN3X3 |
| BUK7E8R3-40E |
PTH |
N |
96 |
40 |
20 |
4 |
75 |
0.0058 |
24 |
9 |
260 |
175 |
I2PAK |
| CSD18533KCS |
PTH |
N |
192 |
60 |
20 |
2.3 |
100 |
0.0063 |
14 |
4.8 |
300 |
175 |
TO-220 |
| KU2303D |
SMD |
N |
52 |
30 |
20 |
- |
68 |
0.0057 |
- |
7.2 |
311 |
150 |
DPAK |
| KU2303K |
SMD |
N |
54 |
30 |
20 |
- |
66 |
0.0062 |
- |
7.1 |
311 |
150 |
PSOP-8 |
| MTB09N06J3 |
SMD |
N |
75 |
60 |
20 |
- |
50 |
0.0063 |
46 |
8 |
285 |
175 |
TO-252 |
| RJK03E0DNS |
SMD |
N |
20 |
30 |
20 |
- |
30 |
0.0056 |
- |
5.1 |
300 |
150 |
HWSON8 |
| RJK03F0DPA |
SMD |
N |
30 |
30 |
12 |
- |
30 |
0.0064 |
- |
4.8 |
240 |
150 |
WPAK |
| RJK03M4DPA |
SMD |
N |
30 |
30 |
20 |
- |
35 |
0.0046 |
12 |
2.4 |
260 |
150 |
WPAK |
| SM4336NSKP |
SMD |
N |
36.7 |
30 |
20 |
- |
65 |
0.0053 |
- |
9 |
247 |
150 |
DFN5X6-8 |
| SQJ858AEP |
SMD |
N |
48 |
40 |
20 |
2.5 |
58 |
0.0063 |
36 |
9 |
295 |
175 |
PowerPAKSO-8L |