Транзистор RJK0851DPB
RJK0851DPB - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LFPAK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 45 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.018 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RJK0851DPB можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOI294A |
PTH |
N |
73 |
100 |
20 |
2.5 |
55 |
0.012 |
- |
29.5 |
180 |
150 |
TO-251A |
| AON7230 |
SMD |
N |
54 |
100 |
20 |
2.5 |
47 |
0.0115 |
- |
25 |
175 |
150 |
DFN3.3X3.3 |
| NVD6820NL |
SMD |
N |
100 |
90 |
20 |
2.5 |
50 |
0.0167 |
44 |
98 |
253 |
175 |
DPAK |
| QM0020P |
PTH |
N |
260 |
100 |
20 |
2.5 |
163 |
0.0057 |
506 |
7.6 |
1120 |
150 |
TO-220 |
| SKI10123 |
SMD |
N |
135 |
100 |
20 |
2.5 |
66 |
0.0121 |
95.6 |
10.1 |
465 |
150 |
TO-263 |
| SQD50N10-8M9L |
SMD |
N |
136 |
100 |
20 |
2.5 |
50 |
0.0089 |
46 |
12 |
1441 |
175 |
TO-252 |
| SQJ402EP |
SMD |
N |
83 |
100 |
20 |
2.5 |
32 |
0.011 |
34 |
10 |
722 |
175 |
PowerPAKSO-8L |
| SQM100N10-10 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
2.5 |
100 |
0.0105 |
122 |
14 |
655 |
175 |
TO-263 |
| SQM85N10-10 |
SMD |
N |
375 |
100 |
20 |
2.5 |
100 |
0.0105 |
122 |
14 |
655 |
175 |
TO-263 |