Справочник электронных компонентов

Транзистор RJK1535DPE

RJK1535DPE - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: LDPAK-S

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: -
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.045 Ом
Общий заряд затвора, Qg: 35 нКл
Время нарастания импульса открытия, Tr: -
Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
Максимальная рабочая температура канала, Tj: -

Транзистор RJK1535DPE можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
BSC190N15NS3G	SMD	N	125	150	-	-	50	0.019	23	-	-	-	SuperSOT-8
FDD86250	SMD	N	132	150	20	4	50	0.022	23	-	-	150	TO-252
IPB200N15N3G	SMD	N	150	150	-	-	50	0.02	23	-	-	-	D2PAK
IPD200N15N3G	SMD	N	150	150	-	-	50	0.02	23	-	-	-	DPAK
IPI200N15N3G	PTH	N	150	150	-	-	50	0.02	23	-	-	-	I2PAK
IPP200N15N3G	PTH	N	150	150	-	-	50	0.02	23	-	-	-	TO-220
IXTA42N15T	SMD	N	200	150	-	-	42	0.045	21	100	-	-	TO-263
IXTA56N15T	SMD	N	300	150	30	4.5	56	0.036	34	100	-	175	TO-263
IXTP42N15T	PTH	N	200	150	30	4.5	42	0.045	21	100	-	175	TO-220
IXTP56N15T	PTH	N	300	150	30	4.5	56	0.036	34	100	-	175	TO-220
PHB45NQ15T	SMD	N	230	150	20	4	45.1	0.042	32	-	-	175	D2PAK