Справочник электронных компонентов

Транзистор RSD080N06

RSD080N06 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор RSD080N06 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN9971 SMD N 40 60 20 2.5 25 0.042 10 12 85 150 TO-252
AFN9971B SMD N 40 60 20 2 25 0.056 8 12 80 150 TO-252
AOD2544 SMD N 75 150 20 2.7 23 0.054 - 3 78 175 TO-252
AOD2916 SMD N 50 100 20 2.7 25 0.034 - 3.5 68 175 TO-252
AON7254 SMD N 39 150 20 2.7 17 0.054 - 3 78 150 DFN3.3X3.3
AON7292 SMD N 28 100 20 2.6 23 0.024 - 3 90 150 DFN3.3X3.3
AOT2916L PTH N 41.5 100 20 2.7 23 0.034 - 3.5 68 175 TO-220
AOTF2916L PTH N 23.5 100 20 2.7 17 0.034 - 3.5 68 175 TO-220F
BRD18N06 SMD N 36 60 20 - 18 0.055 - 12.5 72 150 TO-252
FTK20N06D SMD N 45 60 20 - 20 0.045 - 2.6 60 150 TO-252
MTB060N06I3 PTH N 20 60 20 - 16 0.035 - 5.2 56 150 TO-251
MTB30N06J3 SMD N 30 60 20 - 22 0.027 - 7 58 150 TO-252
MTB60N06J3 SMD N 20 60 20 - 16 0.035 - 5.2 56 150 TO-252
MTN540J3 SMD N 56 100 20 - 25 0.048 - 5 79.3 150 TO-252
MTN9971J3 SMD N 47 60 20 - 25 0.027 - 9 63 175 TO-252
P3606BD SMD N 39 60 20 - 22 0.036 - 11 74 150 TO-252
P5506BDG SMD N 50 60 20 - 22 0.055 - 8 80 150 TO-252
SM1A11NSU SMD N 54 100 25 - 24 0.045 - 8 90 150 TO-252
SM1A11NSUB PTH N 54 100 25 - 24 0.045 - 8 90 150 TO-251
SM6018NSKP SMD N 50 60 20 - 24 0.04 - 8 85 150 DFN5X6-8
SM6018NSU SMD N 60 60 20 - 24 0.04 - 8 85 175 TO-252
SM6018NSUB PTH N 60 60 20 - 24 0.04 - 8 85 175 TO-251
SQS466EEN SMD N 33 60 20 2.5 8 0.048 14 10 85 175 PowerPAK1212-8
SSFD6046 SMD N 20 60 20 - 12 0.05 - 3.5 60 175 DPAK
WFU20N06 PTH N 36 60 20 2.5 20 0.039 7.6 12.6 68 150 TO-251