Справочник электронных компонентов

Транзистор RSD100N10

RSD100N10 - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор RSD100N10 можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB256L SMD N 83 150 20 2.8 19 0.085 - 5 61.5 175 TO-263
AOD256 SMD N 83 150 20 2.8 19 0.085 - 5 61.5 175 TO-252
AOD4286 SMD N 30 100 20 2.9 14 0.068 - 2.5 30 175 TO-252
AOI4286 PTH N 30 100 20 2.9 14 0.068 - 2.5 30 175 TO-251A
AON6484 SMD N 25 100 20 2.7 12 0.079 - 2.5 55 150 DFN5X6
AON7296 SMD N 20.8 100 20 2.8 12.5 0.066 - 2 32 150 DFN3X3
AOTF256L PTH N 33 150 20 2.8 12 0.085 - 5 61.5 175 TO-220F
FTK1090 PTH N 42 100 20 - 15 0.09 - 9.5 59 175 TO-220AB
HY18N20D SMD N 48 200 30 3 18 0.092 - 8.6 55 150 TO-252
HY18N20T PTH N 57 200 30 3 18 0.092 - 8.6 55 175 TO-220AB
IPA65R065C7 PTH N 34 650 20 4 15 0.065 - 14 48 150 TO-220F
IPA65R095C7 PTH N 34 650 20 4 12 0.095 - 12 33 150 TO-220F
IPB65R065C7 SMD N 171 650 20 4 33 0.065 - 14 48 150 TO-263
IPB65R095C7 SMD N 128 650 20 4 24 0.095 - 12 33 150 TO-263
IPL65R070C7 SMD N 169 650 20 4 28 0.07 - 6 48 150 ThinPAK8X8
IPP65R065C7 PTH N 171 650 20 4 33 0.065 - 14 48 150 TO-220
IPP65R095C7 PTH N 128 650 20 4 24 0.095 - 12 33 150 TO-220
IPW65R065C7 PTH N 171 650 20 4 33 0.065 - 14 48 150 TO-247
IPW65R095C7 PTH N 128 650 20 4 24 0.095 - 12 33 150 TO-247
IPZ65R065C7 PTH N 171 650 20 4 33 0.065 - 7 48 150 TO-247-4
IPZ65R095C7 PTH N 128 650 20 4 24 0.095 - 8 33 150 TO-247-4
MTDA0N10J3 SMD N 60 100 20 - 16 0.08 - 15 55 175 TO-252
MTEA0N10J3 SMD N 60 100 20 - 16 0.083 - 15 54 175 TO-252
MTN3820F3 SMD N 56 100 20 - 26 0.064 - 9.5 62.3 150 TO-263
MTN3820J3 SMD N 46 100 20 - 24 0.064 - 9 62.3 150 TO-252
SM1A28NSUB PTH N 50 100 30 - 17 0.076 - 5 60 150 TO-251
SM1A30NSU SMD N 50 100 20 - 18 0.07 - 7 60 150 TO-252