Справочник электронных компонентов

Транзистор RU4H10R

RU4H10R - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор RU4H10R можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
SFP740 PTH N 134 400 30 4 10 0.55 45 20 150 150 TO-220
SIHB12N50E SMD N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-263
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHD12N50E SMD N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-252
SIHH11N60E SMD N 114 600 30 4 11 0.339 31 21 56 150 PowerPAK8X8
SIHH14N60E SMD N 147 600 30 4 16 0.255 41 21 74 150 PowerPAK8X8
SIHP12N50E PTH N 114 500 30 4 10.5 0.38 25 16 52 150 TO-220AB
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
WFP740 PTH N 134 400 30 4 10 0.55 60 20 150 150 TO-220