Справочник электронных компонентов

Транзистор RU6H2K

RU6H2K - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-251

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 56 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 2 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 5 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 45 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RU6H2K можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFN02N60T220T	PTH	N	100	600	30	4	2	4.2	5.67	23.4	35.7	150	TO-220
AFN02N60T251T	PTH	N	86	600	30	4	2	4.2	5.67	23.4	35.7	150	TO-251
AP60WN1K5H	SMD	N	83.3	600	30	4	6	1.55	-	24	44	150	TO-252
AP60WN1K5J	PTH	N	83.3	600	30	4	6	1.55	-	24	44	150	TO-251
AP65WN1K5S	SMD	N	83.3	650	30	4	6	1.5	-	22	44	150	TO-263
AP65WN2K3H	SMD	N	62.5	650	30	4	4	2.3	-	17	35	150	TO-252
AP70WN1K5P	PTH	N	89.2	700	30	4	6	1.5	-	23	45	150	TO-220
RU6H2L	SMD	N	56	600	30	4	2	5	-	25	45	150	TO-252
TK3P80E	SMD	N	80	800	30	4	3	4.9	12	25	40	150	DPAK