Справочник электронных компонентов

Транзистор RU6Z8R

RU6Z8R - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор RU6Z8R можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN10N65T220T PTH N 156 650 30 4 10 1 20 73.67 128.8 150 TO-220
AFN12N65T220T PTH N 225 650 30 4 12 0.8 24.15 61.67 155 150 TO-220
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AP09N70P-A PTH N 156 650 30 4 9 0.75 44 21 170 150 TO-220
AP09N70P-A-HF PTH N 156 650 30 4 9 0.75 - 21 170 150 TO-220
AP09N70P-H-LF PTH N 156 700 30 4 8.3 0.85 - 21 170 150 TO-220
APQ10SN65AH PTH N 162 650 30 4 10 0.9 - 70 160 150 TO-220
CDM22010-650 PTH N 156 650 30 4 10 1 20 33 129 150 TO-220
HFP10N65S PTH N 156 650 30 4 9.5 0.98 29 69 145 150 TO-220
HY10N65T PTH N 156 650 30 4 10 1 - 21.6 145 150 TO-220AB
HY12N65T PTH N 175 650 30 4 12 0.8 - 22.6 175 150 TO-220AB
IRFB9N65APBF PTH N 167 650 30 4 8.5 0.93 48 20 177 150 TO-220AB
PJP10NA65 PTH N 156 650 30 4 10 1 - 74 140 150 TO-220AB
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHFB9N65A PTH N 167 650 30 4 8.5 0.93 48 20 177 150 TO-220AB
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SSM09N70GP-A PTH N 156 650 30 4 9 0.75 44 21 170 150 TO-220
TK10J80E PTH N 250 800 30 4 10 1 46 40 150 150 TO-3P
TMP9N70 PTH N 198 700 30 4 9 1.05 30 24 145 150 TO-220