Транзистор SI1012R
SI1012R - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-75A
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 6 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.9 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.7 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI1012R можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| LSI1012XT1G |
SMD |
N |
0.15 |
20 |
6 |
0.9 |
0.5 |
0.7 |
0.75 |
5 |
- |
150 |
SC-89 |
| SI1012X |
SMD |
N |
0.25 |
20 |
6 |
0.9 |
0.5 |
0.7 |
- |
5 |
- |
150 |
SC-89 |