Транзистор SI1405DL
SI1405DL - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-363
- SMD-код: OB
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.568 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 8 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.45 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.6 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.125 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 36 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI1405DL можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM3445P |
SMD |
P |
2 |
20 |
8 |
0.45 |
5.6 |
0.038 |
19 |
12 |
- |
150 |
TSOP-6 |
| KI2335DS |
SMD |
P |
0.75 |
12 |
8 |
0.45 |
3.2 |
0.051 |
9 |
15 |
260 |
150 |
SOT-23 |
| KI5433DC |
SMD |
P |
1.3 |
20 |
8 |
0.45 |
4.8 |
0.028 |
15 |
29 |
- |
150 |
ChipFET |
| KI5447DC |
SMD |
P |
1.3 |
20 |
8 |
0.45 |
3.5 |
0.076 |
6.5 |
29 |
- |
150 |
ChipFET |
| PPMS8N20V3 |
SMD |
P |
1.1 |
20 |
10 |
0.45 |
2.8 |
0.11 |
4.2 |
28 |
- |
150 |
DFN3X2-8L |
| SI2301-TP |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
8 |
0.45 |
2.8 |
0.12 |
- |
5 |
270 |
150 |
SOT-23 |
| SI2335DS |
SMD |
P |
1.25 |
12 |
8 |
0.45 |
4 |
0.045 |
- |
15 |
260 |
150 |
SOT-23 |
| SI6469DQ |
SMD |
P |
1.5 |
8 |
8 |
0.45 |
6 |
0.028 |
- |
30 |
- |
150 |
TSSOP-8 |