Справочник электронных компонентов

Транзистор SI3410DV

SI3410DV - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор SI3410DV можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AP0904GMT SMD N 5 40 20 3 17.5 0.0095 - 6.5 160 150 PMPAK5X6
AP1203GM SMD N 2.5 30 20 3 11.2 0.012 - 7.5 130 150 SO-8
AP3N018EYT SMD N 3.12 30 20 3 10.3 0.018 - 8 95 150 PMPAK3X3
AP4410AGM-HF SMD N 2.5 30 20 3 10 0.0135 - 7 155 150 SO-8
AP4438GYT-HF SMD N 3.57 30 20 3 13.7 0.012 - 5 125 150 PMPAK3X3
AP4800AGM SMD N 2.5 30 25 3 9.6 0.018 - 7 155 150 SO-8
CHM3128JGP SMD N 2.5 30 20 3 9 0.016 14.8 3.5 165 150 SO-8
MDS1651URH SMD N 3.1 30 20 3 11.6 0.017 - 6 165 150 SO-8
MMN4418 SMD N 3 30 25 3 11.5 0.017 6.75 3.44 125.41 150 SO-8
MMN4422 SMD N 3 30 20 3 11 0.015 7.7 8.4 159.6 150 SOP-8
SK840318L SMD N 19 30 20 3 12 0.0071 10 6 140 150 HSSO8-F1-B
SK840319L SMD N 19 30 20 3 10 0.01 6.3 3 160 150 HSSO8-F1-B
SK860318L SMD N 2.4 30 20 3 15 0.0071 9.2 6 140 150 HSO8-F4-B
SK860319L SMD N 2.7 30 20 3 12 0.01 6.3 3 160 150 HSO8-F4-B
STN4822 SMD N 2 30 20 3 8.5 0.017 15 6 145 150 SOP-8