Транзистор SI4214DDY
SI4214DDY - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SO-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0195 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 140 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI4214DDY можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4306 |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.5 |
13 |
0.0115 |
- |
9 |
125 |
150 |
SOP-8 |
| AO4406A |
SMD |
N |
3.1 |
30 |
20 |
2.5 |
13 |
0.0115 |
- |
9 |
125 |
150 |
SO-8 |
| P1603BVA |
SMD |
N |
2.2 |
30 |
20 |
2.5 |
9.4 |
0.016 |
- |
13 |
75 |
150 |
SOP-8 |
| RQ3E080BN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
8 |
0.0152 |
14.5 |
20 |
90 |
150 |
HSMT8 |
| RQ3E100BN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
10 |
0.0104 |
22 |
28 |
130 |
150 |
HSMT8 |
| SIR836DP |
SMD |
N |
3.9 |
40 |
20 |
2.5 |
10.6 |
0.019 |
11.8 |
19 |
100 |
150 |
SO-8 |
| SMC4812 |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
7.8 |
0.019 |
4.8 |
37.6 |
63 |
150 |
SOP-8 |